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中天弘宇技術發布會隆重舉行 英唐智控董事長一行應邀到賀
所屬分類：公司動態 閱讀次數：15003 發布時間：2021-08-23
2021年8月22日，英唐智控合作伙伴中天弘宇在上海浦東舉行了“自主研發、國際首創——先進存儲技術發布會”。上海市、浦東新區等相關部門，國際半導體協會等行業組織出席，公司董事長胡慶周、 半導體事業群總裁孫磊、董事長助理張光劍一行也應邀出席了本次發布會。
中國工程院院士倪光南視頻致辭
本次發布會上，中國工程院院士倪光南通過視頻方式致辭，他指出本次發布的先進存儲技術是一項重大發明，實現了中國存儲器底層技術零的突破，希望企業與集成電路行業企業一起發奮努力，設計創新更多自主原創的產品，提高自主原創存儲器的市場份額。
中天弘宇副總裁、CTO聶虹向與會來賓詳細介紹了其先進存儲技術的創新原理、優勢特點、產業化應用。該技術由傳統的“熱電子注入”（CHE）升級為 “二次電子倍增注入浮柵”，并創造性地對閃存存儲單元結構進行了重構，使新的存儲單元突破短溝道穿通的世界性難題、并兼容標準的邏輯制程。運用這一技術的存儲產品，有著小面積、低功耗、大容量、低成本的特點，在汽車、工業、5G的領域應用前景廣闊。目前該項發明成果已在中、日、美、韓和中國臺灣地區申請了成體系的原創性發明專利，其中多項核心專利已獲批，專利體系化建設在不斷完善之中。
同時中天弘宇副總裁聶虹還指出，電源管理芯片（PMIC）市場容量巨大，國內起點較低，中天弘宇以此作為新存儲技術的市場切入點，將大有可為。據其介紹，運用該項技術的國內某頭部代工廠商的90nmBCD工藝平臺已經通過產品流片驗證，相關測試結果符合設計規格，90nm制程的BCD工藝較當前代工廠中主流BCD工藝平臺（130nm-180nm）擁有明顯的技術和成本優勢。
英唐智控于2020年11月與中天弘宇簽署《合作協議》，雙方將結合公司在汽車、工業及移動通信領域的客戶資源和渠道分銷優勢、中天弘宇先進存儲技術在90nmBCD工藝平臺的技術優勢，雙方將聯合開發電源管理類芯片，并擬以新型存儲技術在電源管理芯片上的產業化應用為開端，開展新型存儲技術在設計研發、生產制造及市場推廣方面的深度合作。本次發布會的成功召開，將有望加快推進雙方的合作進程。
英唐智控、中天弘宇領導合影
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